EDI的化學清洗：

化學清洗的前提條件：

（1）水溫度和流量不變的情況下淡水壓差增加30%；

（2）水溫度和流量不變的情況下濃水壓差增加30%；

（3）水溫度和流量及進水電導率不變的情況下產水電阻率下降；

（4）水溫度不變的情況下模塊電阻增加20%；

（5）產水量不變的情況下脫鹽率明顯下降。

清洗之前，需要先分析污堵類型：對有機物污染較嚴重的情況，需先酸洗后再堿洗，且應延長堿洗時間，必要時，堿洗后再進行一次簡單酸洗；對無機鹽結垢較嚴重的情況，需延長酸洗時間，酸洗后再進行簡單的堿洗或水洗；一般情況，酸洗清洗無機鹽垢，堿洗清洗有機物和微生物。

每類清洗后，務必用RO出水沖洗干凈，才可進行下一類清洗，禁止酸、堿在系統里混合；循環清洗EDI系統時，進水壓力務必保證≤0.4Mpa。

較高的藥液溫度有利于化學清洗，一般可用清洗水箱電加熱，對酸洗可加熱至30～35℃，對堿洗可加熱至35～40℃，但藥液溫度不可太高，太高的溫度會引起EDI膜元件降解。

較嚴重的污堵還可以采用浸泡的措施，即循環清洗2h后，（或更長時間，最好清洗至酸、堿濃度不再變化時），停清洗泵，使EDI膜浸泡2～4h，然后再循環15～30min。若一次清洗不理想，需分析原因，必要時可以再進行一次清洗。

藥洗完成后進行清水沖洗，可沖洗掉尚未溶解的物質與不溶性物質。日常操作時必須測量和記錄膜元件的壓力及壓差變化，隨著元件內進水通道被堵塞，壓差將增加。如果進水溫度降低，元件產水量也會下降，這是正?，F象而非膜的污染所造成的。通常情況下，壓力控制失?；蚧厥章实脑黾訉е庐a水量的下降或鹽透過率的增加，此時膜元件一般不需要清洗。

清洗過程及藥品配置

1、鹽酸溶液（2%）循環清洗30min; 

2、水沖洗20～30min;

3、氯化鈉（5%）清洗30min;

4、水沖洗20～30min;

5、氯化鈉（5%）+氫氧化鈉（1%）循環清洗30min; 

6、水沖洗20～30min;

7、清洗結束后電再生至產水合格。

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